[发明专利]一种单层或少层二硫化钼纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610144310.X | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105668631B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 胡平;王快社;杨帆;胡卜亮;宋瑞;陈震宇;李秦伟;刘漫博 | 申请（专利权）人： | 西安建筑科技大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所61216 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 710055*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单层或少层二硫化钼纳米材料的制备方法，该方法先将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；然后在混合溶液中加入氧化剂进行氧化插层反应，过滤干燥后得到插层二硫化钼粉末；最后加入爆炸剂进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到单层或少层二硫化钼纳米材料。采用此方法制备单层或少层二硫化钼纳米材料，不但剥离效率高，产量大，而且剥离的产物大多是具有高载流子迁移率的单层二硫化钼，能够有效运用在光电、半导体、二次电池、传感器、存储介质等器件，具有广泛的应用前景。本发明制备单层或少层二硫化钼纳米材料的方法，操作简单，不需要复杂而繁琐的制备装置，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 二硫化钼 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单层或少层二硫化钼纳米材料的制备方法，其特征在于：该方法先将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；然后在混合液中加入氧化剂进行氧化插层反应，过滤干燥后得到插层二硫化钼粉末；最后向插层二硫化钼粉末中加入爆炸剂进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到单层或少层二硫化钼纳米材料。
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