[发明专利]一种碲化镉晶体在审
| 申请号： | 201610144426.3 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN107188135A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈道理 | 申请（专利权）人： | 盱眙新远光学科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211700 江苏省淮*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碲化镉晶体的制备工艺，包括以下步骤将高纯碲及高纯镉按照4∶6比例混合装入高温炉中；设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉发生化学反应气相沉积，形成晶体；所述升温曲线的最高温度不超过1200℃；且在最高温度条件下的保温时间不超过5小时；将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体；将合格的碲化镉晶体切割成不同直径，采用真空铝塑纸按片分装，并用真空封装机封口。整个制备工艺过程升温控制安全可靠，反应过程中没有蒸气外泄，不会对环境和工作人员的健康造成损害，更不会导致碲化镉分解，反应过程充分，制备的碲化镉晶体纯度高，质量好，稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化镉 晶体 | ||
【主权项】：
一种碲化镉晶体的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：将高纯碲及高纯镉按照4∶6比例混合装入高温炉中；设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉发生化学反应气相沉积，形成晶体；所述升温曲线的最高温度不超过1200℃；且在最高温度条件下的保温时间不超过5小时；将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体；将合格的碲化镉晶体切割成不同直径，采用真空铝塑纸按片分装，并用真空封装机封口。
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