[发明专利]一种可见光到红外光探测的宽波段光电二极管

摘要

本发明涉及的光电二极管，可以扩展光的吸收波段，完成从可见光到红外光波段(400nm～1350nm)的探测，且在0.8μm～0.9μm以及1.1μm～1.35μm两个重要波段均具有较高响应性。其结构包括含一个开口的重掺杂N型Si衬底，N型Si衬底上依次层叠有轻掺杂N型Si外延层、重掺杂P型Si、以及由本征Ge缓冲层和在其之上的重掺杂P型Ge构成的台面结构，台面上依次层叠有二氧化硅介质层和钝化层。在N型Si衬底背面设置有金属接触阴极VR，在重掺杂P型Si上设置有第一金属接触阳极VAF，在重掺杂P型Ge上设置有第二金属接触阳极VAS，轻掺杂N型Si外延层背面设置有抗反射层。

主权项

一种可见光到红外光探测的宽波段光电二极管，该光电二极管包括：可见光探测区和红外光探测区，所述可见光探测区包括：重掺杂N型Si衬底、设置于重掺杂N型Si衬底下表面两侧的金属阴极、设置于重掺杂N型Si衬底下表面中间位置的抗反射层、设于重掺杂N型Si衬底上的轻掺杂N型Si外延层、设于轻掺杂N型Si外延层上的重掺杂P型Si层、设于重掺杂P型Si层两侧的第一金属阳极；其特征在于所述重掺杂N型Si衬底中心处设有开口，抗反射层位于开口内，直接设置于轻掺杂N型Si外延层下表面；所述红外光探测区设置于可见光探测区的重掺杂P型Si层上，所述红外光探测区包括：本征Ge缓冲层、设于本征Ge缓冲层上的重掺杂P型Ge层、设于重掺杂P型Ge层上的第二金属阳极、二氧化硅层、钝化层；其中本征Ge缓冲层、重掺杂P型Ge层、第二金属阳极构成棱台结构，所述二氧化硅层用于密封本征Ge缓冲层和重掺杂P型Ge层，所述钝化层设置于二氧化硅层上。