[发明专利]一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610145387.9 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105734335B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 左敏;迟浩毅;袁珍贵;王艳;赵德刚;耿浩然 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C22C3/00 | 分类号： | C22C3/00;C22C9/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所37218 | 代理人： | 张菡 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法，属于纳米多孔金属薄膜材料的制备技术领域。本发明的铜基纳米多孔薄膜，呈多层结构，单层厚度200‑400nm（约为250 nm），中间层多孔孔径约为10‑25nm，最外两层的多孔孔径为175‑290 nm。上述铜基纳米多孔薄膜，是以各元素原子百分含量为镁60‑30%、铜35–45%、钕25–5%的镁‑铜‑钕非晶合金为前驱体，通过化学脱合金法脱除镁、钕而成。其完整性强、纳米孔均匀连通并且尺寸可控、具有较高的比表面积、化学性质稳定的纯净的呈多层结构且层与层之间容易剥离。本发明的制备方法工艺简单、绿色无污染、成本低廉、生产效率高，适合批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 多孔 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜基纳米多孔薄膜，其特征在于，呈多层结构，单层厚度200‑400nm，中间层多孔孔径为10‑25nm，外层多孔孔径为175‑290 nm；是以各元素原子百分含量为：镁 60 ‑ 30%、铜 35 – 45%、钕 25 – 5%的镁‑铜‑钕非晶合金为前驱体，通过化学脱合金法脱除镁、钕而成。
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