[发明专利]制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置

摘要

本发明涉及一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置及其制备方法包括药箱，纯水箱，碱液箱，去多孔硅液工作池，备液池，纯水清水池，去多孔硅溶液过滤处理池，药液预加热器，药气、液配制自动控制器，纯水预加热器，纯水加入自动控制器，去多孔硅液过滤处理池，碱液预加热器，碱液配制自动控制器，备液恒温加热器，备液恒温冷却器，去多孔硅工作池液位自动控制器，去多孔硅池溶液浓度自动控制器，去多孔硅工作池溶液流量自动控制器，机械手，去多孔硅浸洗时间控制器，纯水清洗喷淋头，纯水清洗喷林管，纯水恒压恒温装置，去多孔硅工作池溢流口，工作参数显示屏，操作台，换液导流口，废纯水排流口，废去多孔硅溶液池，废纯水池。

主权项

一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置，其特征在于：它主要包括药箱（1），纯水箱（2），碱液箱（3），去多孔硅液工作池（4），备液池（5），纯水清洗池（6），混液池（12），纯水清洗喷淋头（22），纯水清洗喷淋管（23），去多孔硅池溢流口（25），废去多孔硅液池（31）和废纯水池（32），所述药箱（1）与混液池（12）之间设置有药液预热器（8）和药气液配制自动控制器（9），所述纯水箱（2）与混液池（12）之间设置纯水预加热器（10）和纯水加入自动控制器（11），所述碱液箱（3）与混液池（12）之间设置碱液预加热器（13）和碱液配制自动控制器（14），所述备液池（5）中间设置了备液恒温加热器（15）和备液恒温冷却器（16）；且备液池（5）与去多孔硅液工作池之间设置了去多孔硅液工作池液位自动控制器（17）和去多孔硅工作池溶液浓度自动控制器（18）以及去多孔硅液工作池溶液流量自动控制器（19），通过数显自动加温计，冷却计来自动控制备液池去多孔硅溶液达到恒温48℃，通过去多孔硅液工作池、浓度、流量数显计自动控制去多孔硅液工作池液位在抓晶片花篮放置池中时保持上平面下5cm，碱浓度9.15%，气液流量0.35‑0.75m3/h；确保在上述温度、浓度、流量和液位标准下浸洗去多孔硅时间为28秒，所述去多孔硅液工作池（4）中设置抓晶片花篮机械手（20）、能定时且自动清洗，所述纯水箱（2）与纯水清洗池（6）之间设置有纯水恒温恒压装置（24）和纯水清洗喷淋管（23），在所述纯水清洗喷淋管（23）上设置有若干组纯水清洗喷淋头（22），通过自动数显温度计、压力计进行温度压力自动按恒温、恒压标准要求控制，其中温度设定60℃，压力设定0.5MPa；通过恒温60℃，恒压0.5MPa纯水喷淋清洗时间为95秒，在所述去多孔硅液工作池（4）的底部设置第一换液导流口（28），在所述备液池（5）的底部设置第二换液导流口（29），且上述二导流口均与废去多孔硅液池（31）相连，在所述纯水清洗池（6）底部设置排流管（30）与废纯水池（32）相连。