[发明专利]被包覆的半导体纳米粒子及其制造方法在审
| 申请号： | 201610146065.6 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105985768A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 山根千草;午菴一贺;川崎秀和;柏木恒雄;藤枝洋一 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/56;C09K11/70;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有充分的荧光强度的被包覆的半导体纳米粒子。本发明的被包覆的半导体纳米粒子的制造方法涉及一种制造被包覆的半导体纳米粒子的方法，所述被包覆的半导体纳米粒子含有：半导体纳米粒子，其具有核/壳结构；和透光性包覆层，其含有包覆所述半导体纳米粒子的硅。而且，所述被包覆的半导体纳米粒子的制造方法包括：在抗氧化剂的存在下，使所述半导体纳米粒子和硅烷化合物接触的工序，所述抗氧化剂具有磷原子及硫原子中的至少一种，且含有选自不具有羟基的化合物中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 被包覆 半导体 纳米 粒子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种被包覆的半导体纳米粒子的制造方法，其为制造被包覆的半导体纳米粒子的方法，所述被包覆的半导体纳米粒子含有：半导体纳米粒子，其具有核/壳结构；和透光性包覆层，其包覆所述半导体纳米粒子并含有硅，所述被包覆的半导体纳米粒子的制造方法包括：在抗氧化剂的存在下，使所述半导体纳米粒子和硅烷化合物接触的工序，所述抗氧化剂含有选自下述化合物中的至少一种，所述化合物具有磷原子及硫原子中的至少一种且不具有羟基。
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