[发明专利]一种在金属Al衬底上外延生长的GaN薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610146073.0 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105742424B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/64;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 秦维 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在金属Al衬底上外延生长的GaN薄膜，包括Al衬底、AlN缓冲层、GaN缓冲层、非晶AlN插入层和GaN薄膜；所述AlN缓冲层生长在Al衬底的(111)面的外延面上，所述GaN缓冲层外延生长在AlN缓冲层上，所述非晶AlN插入层生长在GaN缓冲层上，所述GaN薄膜外延生长在非晶AlN插入层上；所述AlN缓冲层与GaN薄膜层晶体外延取向关系为GaN(0001)平行于AlN(0001)平行于Al(111)。本发明通过选择合适的晶体取向，Al(111)衬底上获得的高质量GaN外延薄膜，提高了氮化物器件效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 al 衬底 外延 生长 gan 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在金属Al衬底上外延生长的GaN薄膜，其特征在于，包括Al衬底、AlN缓冲层、GaN缓冲层、非晶AlN插入层和GaN薄膜；所述AlN缓冲层生长在Al衬底的(111)面的外延面上，所述GaN缓冲层外延生长在AlN缓冲层上，所述非晶AlN插入层生长在GaN缓冲层上，所述GaN薄膜外延生长在非晶AlN插入层上；所述AlN缓冲层与GaN薄膜层晶体外延取向关系为GaN(0001)平行于AlN(0001)平行于Al(111)；在金属Al衬底上外延生长的GaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)衬底选择及处理：选择金属Al做衬底，并对Al衬底进行退火处理；2)AlN缓冲层外延生长：选择步骤1)得到的Al衬底的(111)面为外延面，采用脉冲激光沉积技术在Al衬底上外延生长一层AlN缓冲层；3)GaN缓冲层外延生长：采用脉冲激光沉积技术在AlN缓冲层上外延生长GaN缓冲层；4)非晶AlN插入层生长:采用脉冲激光沉积技术在GaN缓冲层上外延生长非晶AlN插入层；5)GaN薄膜外延生长：采用脉冲激光沉积技术在非晶AlN插入层上外延生长GaN缓冲层。
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