[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610146221.9 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105990350B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 岩崎敏文;牧幸生 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目标是提供一种具有较少开裂或剥离的半导体器件及其制造方法。半导体器件的熔丝部分具有被电耦合至SRAM存储器单元的位线。位线由层间绝缘膜覆盖。作为层间绝缘膜，形成掺杂硼的BPTEOS膜。位线在其上方具有熔丝。熔丝和位线经由接触插塞彼此电耦合。覆盖位线的层间绝缘膜与接触插塞隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括半导体衬底，具有主表面；布线，被形成在所述半导体衬底的所述主表面之上并且包括在一个方向上延伸的第一布线；熔丝，在与所述主表面隔开的方向上与所述布线隔开；接触插塞，包括与所述第一布线和所述熔丝中的每一个接触并且将所述第一布线电耦合至所述熔丝的第一接触插塞；和层间绝缘膜，包括被形成以便覆盖所述半导体衬底并且在与所述第一接触插塞隔开的状态下覆盖所述第一布线的含有第一硼的第一层间绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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