[发明专利]一种基于SnO2纳米线传感器及其制备方法和应用

摘要

本发明属于气体传感器技术领域，特别涉及一种基于SnO2纳米线半导体传感器快速检测单增李斯特菌的方法。本发明以单增李斯特菌的特征性代谢物三羟基二丁酮气体为检测靶点，制备出对其敏感的SnO2纳米线半导体传感器。该传感器对于单增李斯特菌的特征性代谢物三羟基二丁酮的响应时间短，选择性好，所以可用于单增李斯特菌的检测。该传感器测试过程简单，效率高，而且稳定性好，可重复多次使用，降低了成本。所述基于SnO2纳米线传感器测试过程中不需要长时间的增菌培养或者对细胞进行破壁提取DNA等步骤，测试过程简单，效率高，测试成本低。而且该传感器稳定性好，可重复多次使用，降低了使用成本。

主权项

1.一种基于SnO2纳米线传感器在检测单增李斯特菌中的应用，该传感器是通过以下制备方法获得：(1)、将SnCl4·5H2O溶于去离子水中，磁力搅拌，加入pH调节剂，将溶液的pH值调节至9‑11；向溶液中滴加无水乙醇，搅拌20‑40分钟；(2)、将溶液引入高压釜中，在170‑200℃条件下反应22‑26小时，冷却，将沉淀物洗涤后烘干，得到SnO2纳米线前驱体；(3)、将SnO2纳米线前驱体升温至550℃并保持2小时，得到SnO2纳米线材料；(4)、将SnO2纳米线材料中加入黏合剂，调成糊状后均匀涂覆在陶瓷管外表面，置于红外灯下烘干，并在450‑550℃下煅烧1‑3小时；(5)、将陶瓷管内的四根电极引线焊接在气敏元件的底座上，老化5‑8天即可。