[发明专利]具有减小的反向恢复时间的整流器电路有效
申请号: | 201610146358.4 | 申请日: | 2016-03-15 |
公开(公告)号: | CN105991052B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | J·L·格兰 | 申请(专利权)人: | 德尔福技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种具有减小的反向恢复时间的整流器电路。一种整流器电路(20)包括MOSFET(M1(30))以及第一齐纳二极管(D1(34))或仿真D1(34)的第一齐纳仿真器(E1(50))。该电路(20)传导从输入(24)到输出(26)的正向方向(22)上的电流,并且基本上阻隔反向方向上的电流。该M1(30)由接通电阻(33)来表征。D1的阴极或E1(50)的阴极接触(56)连接至该输入(24),D1(34)的阳极或E1(50)的阳极接触(54)连接至源极。该E1(50)包括互连的第一小齐纳二极管(D11(62))、第一电阻器(R11(64))和第一晶体管(M11(66))以使得E1(50)仿真D1(34)并且由齐纳电压(36)表征。该齐纳电压(36)和该导通电阻(33)被选择使得当电流在正向方向(22)上流动时该体二极管(32)中的储存电荷少于正向电荷阈值,由此减小该体二极管(32)的反向恢复时间。 | ||
搜索关键词: | 具有 减小 反向 恢复时间 整流器 电路 | ||
【主权项】:
一种整流器电路(20),配置为传导从所述电路(20)的输入(24)到输出(26)的正向方向(22)上的电流,并且基本上阻隔从所述输出(26)到所述输入(24)的反向方向上的电流,所述电路(20)包括:金属氧化物半导体场效应晶体管(M1(30)),其限定了栅极、漏极、源极和体二极管(32),所述体二极管(32)取向为允许电流从所述M1(30)的漏极流向所述源极,其中,所述栅极连接至所述输入(24),所述漏极连接至所述输出(26),并且所述M1(30)由接通电阻(33)来表征;以及第一齐纳二极管(D1(34)),其限定所述D1(34)的阳极和阴极,其中,所述阴极连接至所述输入(24),所述阳极连接至所述源极,并且所述D1(34)由齐纳电压(36)来表征,其中所述齐纳电压(36)和所述接通电阻(33)被选择以使得当电流在所述正向方向(22)上流动时所述体二极管(32)中的储存电荷小于正向电荷阈值,由此减小所述体二极管(32)的反向恢复时间。
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