[发明专利]加热器区块及基板处理装置在审
| 申请号： | 201610146936.4 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN106024670A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 郑弼盛;池尙炫;李成龙;韩容愚 | 申请（专利权）人： | AP系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括安装于其面对待处理物体(例如基板)的一个表面上的多个加热灯的加热器区块及包括所述加热器区块的基板处理装置。所述加热灯包括第一灯及第二灯，所述第一灯用以对所述待处理物体照射紫外(UV)线，所述第二灯用以对所述待处理物体照射红外(IR)线。对于所述一个表面上的多个区域中的每一个，所述第一灯的数目对所述第二灯的数目的相对比率是不同的。本发明提供所述加热器区块及基板处理装置，所述加热器区块可对所述基板的边缘区域的温度进行热补偿以提高所述基板的温度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 加热器 区块 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种加热器区块，其特征在于，包括安装于所述加热器区块的面对待处理物体的一个表面上的多个加热灯，其中所述加热灯包括第一灯及第二灯，所述第一灯用以对所述待处理物体照射紫外线，所述第二灯用以对所述待处理物体照射红外线，且对于所述一个表面上的多个区域中的每一个，所述第一灯的数目对所述第二灯的数目的相对比率是不同的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
