[发明专利]半导体存储器件有效
申请号: | 201610147020.0 | 申请日: | 2016-03-15 |
公开(公告)号: | CN106558341B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 李熙烈 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/08 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体存储器件包括:存储单元,包括第一存储块和第二存储块;电源单元,适用于将多个操作电压施加至第一全局线或第二全局线中的一个;开关电路,适用于响应于第一控制信号来开关第一全局线和第一内部全局线,以及响应于第二控制信号来开关第二全局线和第二内部全局线;以及通过电路,适用于响应于块选择信号来将第一内部全局线电连接至第一存储块的字线和选择线,以及将第二内部全局线电连接至第二存储块的字线和选择线。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:存储单元,包括第一存储块和第二存储块;电压发生单元,适用于将多个操作电压施加至第一全局线或第二全局线中的至少一个;开关电路,适用于开关第一全局线和对应的第一内部全局线以及开关第二全局线和对应的第二内部全局线;通过电路,适用于响应于块选择信号来将第一内部全局线电连接至第一存储块的字线和选择线以及将第二内部全局线电连接至第二存储块的字线和选择线,其中,开关电路控制与第一存储块和第二存储块之间的未选中存储块相对应的第一内部全局线或第二内部全局线处于浮置状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610147020.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。