[发明专利]一种自动平衡工艺偏差和温度影响的延迟线在审

专利信息
申请号: 201610147127.5 申请日: 2016-03-15
公开(公告)号: CN105871374A 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 肖本;钟国华;罗四阳 申请(专利权)人: 深圳市芯卓微科技有限公司
主分类号: H03L7/10 分类号: H03L7/10;H03L7/085;H03K5/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518100 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明一种自动平衡工艺偏差和温度影响的延迟线,所述延迟线由多个延迟单元串联连接,每个所述延迟单元包括一个延迟电路和一个反向电路;晶体管P1、P2、P3、P4为尺寸相同的PMOS晶体管,晶体管N1、N2、N3、N4为尺寸相同的NMOS晶体管;所述晶体管P1、P3、N1、N3构成一个所述延迟电路;所述晶体管P2、P4、N2、N4构成一个所述反向电路。采用本发明方法设计的延迟线能够自动调整延迟单元的高低电平占空比,使得信号的高低电平占空比近似为1/2;采用本发明设计的延迟线能够有效提高输入信号的频率动态范围,能减小延迟锁定环的锁定时间;采用本发明设计的延迟线结构简单,采用标准的CMOS电子器件,能够有效节省芯片面积和成本。
搜索关键词: 一种 自动 平衡 工艺 偏差 温度 影响 延迟线
【主权项】:
一种自动平衡工艺偏差和温度影响的延迟线,所述延迟线由多个延迟单元串联连接,每个所述延迟单元包括一个延迟电路和一个反向电路;晶体管P1、P2、P3、P4为尺寸相同的PMOS晶体管,晶体管N1、N2、N3、N4为尺寸相同的NMOS晶体管;所述晶体管P1、P3、N1、N3构成一个所述延迟电路,所述晶体管P1、P3、N1、N3串联连接,所述晶体管P1的源极接电源,所述晶体管P1的漏极接P3的源极,所述晶体管P3的漏极接N1的漏极,所述晶体管N1的源极接N3的漏极,所述晶体管N3的漏极接地;控制延迟时间的压控信号Vcp接P1的栅极,控制延迟时间的压控信号Vcn接N3的栅极,所述两个信号由电荷泵提供,延迟信号in从所述晶体管P3与N1的栅极处输入,从漏极输出;所述晶体管P2、P4、N2、N4构成一个所述反向电路,所述晶体管P2、P4、N2、N4串联连接,所述晶体管P2的源极接电源,所述晶体管P2的漏极接P4的源极,所述晶体管N2的源极接N4的漏极,所述晶体管N4的漏极接地;所述晶体管P2的栅极接地VSS,所述晶体管N4的栅极接电源VDD,所述晶体管P4和N2的栅极共连,并且连接延迟电路中所述晶体管P3和N1的漏极输出,所述晶体管P4和N2的漏极相连,为所述延迟单元的最终输出端。
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