[发明专利]一种充氮气半导体制冷的碲锌镉X射线探测器有效
| 申请号： | 201610147879.1 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105842726B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 曾国强;程锋;葛良全;罗耀耀;谷懿;张庆贤;马永红;杨强 | 申请（专利权）人： | 成都理工大学 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 610059 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种充氮气半导体制冷的碲锌镉X射线探测器，碲锌镉探测器外部设有屏蔽罩，屏蔽罩上设有孔，双面不透光的镀铝膜覆盖孔，屏蔽罩内部设有半导体制冷片，半导体制冷片通过外部的制冷片恒定低温驱动电路进行制冷，屏蔽罩内部的碲锌镉探测器接收到X射线后转换为电荷信号，通过复位型电荷灵敏放大器放大后获得理想的核脉冲信号。本发明的有益效果是消除了放电电阻带来的电流噪声，提高了信噪比，有效提高了系统的能量分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮气 半导体 制冷 碲锌镉 射线 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种充氮气半导体制冷的碲锌镉X射线探测器，其特征在于：碲锌镉探测器(5)外部设有屏蔽罩(1)，屏蔽罩(1)上设有孔，双面不透光的镀铝膜(2)覆盖孔，屏蔽罩(1)内部设有半导体制冷片(3)，屏蔽罩(1)与TEC的陶瓷底座(4)构成一个封闭空间；半导体制冷片(3)为若干层安装在TEC的陶瓷底座(4)上；半导体制冷片(3)通过外部的制冷片恒定低温驱动电路进行制冷，屏蔽罩(1)内部的碲锌镉探测器(5)接收到X射线后转换为电荷信号，通过复位型电荷灵敏放大器放大后获得理想的核脉冲信号；/n所述镀铝膜(2)表层与底层分别镀铝，厚度均为0.15um；中间层采用PET衬底；/n所述屏蔽罩(1)内部充一个大气压的氮气；/n所述复位型电荷灵敏放大器包括JFET场效应管，转换的电荷信号经过JFET场效应管进入后级放大电路放大，得到输出信号，同时后级放大电路输出信号提供给反馈电容，反馈电容两端电压达到预设电压后，通过复位电容和碲锌镉探测器(5)的寄生电容实现对输出信号的复位处理，使得输出信号为固定脉宽的脉冲信号；/n所述JFET场效应管为裸晶圆。/n
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