[发明专利]具有集成栅源电容的IGBT器件有效
| 申请号： | 201610148231.6 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105789288B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 杨飞;谭骥;张广银;沈千行;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有集成栅源电容的IGBT器件，其在半导体基板内还设置至少一个用于形成栅源电容的沟槽栅，所述沟槽栅包括位于第二导电类型阱区内的电容沟槽，所述电容沟槽的高度小于第二导电类型阱区的深度；所述电容沟槽的侧壁及底壁设置覆盖有电容绝缘氧化层，并在覆盖有电容绝缘氧化层的电容沟槽内填充有电容导电多晶硅，且所述电容沟槽的槽口由第一主面上的电容绝缘介质层覆盖；电容沟槽内的电容导电多晶硅与半导体基板第一主面上用于形成栅电极的栅极金属欧姆接触。本发明结构紧凑，能在不增加芯片面积的情况下集成得到栅源电容，可以灵活设计栅源电容的分布状态，且能精确控制栅源电容的电容值，与现有工艺相兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 电容 igbt 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有集成栅源电容的IGBT器件，包括具有两个相对主面的半导体基板，半导体基板的两个相对主面包括第一主面以及与第一主面相对应的第二主面；半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型基区；在半导体基板的第一导电类型基区内设置若干规则排布且相互平行分布的有源元胞，所述有源元胞包括位于第一导电类型基区内上部的第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与半导体基板第一主面上的源极金属欧姆接触；其特征是：在半导体基板内还设置至少一个用于形成栅源电容的浅槽栅，所述浅槽栅包括位于第二导电类型阱区内的电容沟槽，所述电容沟槽的高度小于第二导电类型阱区的深度；所述电容沟槽的侧壁及底壁设置覆盖有电容绝缘氧化层，并在覆盖有电容绝缘氧化层的电容沟槽内填充有电容导电多晶硅，且所述电容沟槽的槽口由第一主面上的电容绝缘介质层覆盖；电容沟槽内的电容导电多晶硅与半导体基板第一主面上用于形成栅电极的栅极金属欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所，未经江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610148231.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种单芯片双向IGBT单管的封装结构
- 下一篇：一种浮栅的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
