[发明专利]一种量子点薄膜制备方法

摘要

本发明公开了一种量子点薄膜制备方法，其包括如下步骤1)采用原子层沉积技术在量子点表面沉积纳米或亚微米厚度的金属氧化物薄膜，以将量子点包覆；2)将包覆有金属氧化物的量子点涂覆在有机薄膜聚对苯二甲酸乙二酯衬底上，制备获得量子点薄膜；3)采用空间隔离原子层沉积技术在量子点薄膜及量子点表面沉积纳米或亚微米厚度的氧化物薄膜，以保证量子点不被氧化。本发明采用在量子点表面分步包覆钝化膜的方法制备量子点薄膜，解决量子点易被氧化，致使其丧失发光性能的问题，具有制备工艺简单，制备成本低等优点。

主权项

一种量子点薄膜制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：1)量子点的包覆：采用原子层沉积技术在量子点表面沉积纳米或亚微米厚度的金属氧化物薄膜，以将量子点包覆；2)量子点薄膜的制备：将包覆有金属氧化物薄膜的量子点涂覆在有机薄膜PET衬底上，制备获得量子点薄膜；3)量子点薄膜的包覆：采用空间隔离原子层沉积技术在量子点薄膜及量子点表面沉积纳米或亚微米厚度的氧化物薄膜，以保证量子点不被氧化。