[发明专利]一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法

摘要

本发明涉及MEMS器件制造领域，特别涉及一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法，主要包括基板清洗、覆铜面镀金及后处理、溅射前干法处理、光刻前LCP基板与硬性基板无间隙复合、CPW图形制作、RF传输线上二氧化硅绝缘层的制作、牺牲层制作、薄膜微桥制作、牺牲层释放等步骤。采用本发明的技术方案制备的LCP基RFMEMS开关，具有插入损耗和驱动电压较低、成品率和隔离度较高等特性，加工过程中柔性LCP基板的平整度可得到良好保持。

主权项

一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法，所述的LCP为液晶聚合物，RF MEMS为射频微机电系统，其特征在于包括以下步骤：(1)将单面覆铜的LCP基板进行清洗处理；(2)将步骤(1)处理后的LCP基板覆铜面进行电镀金；(3)将步骤(2)处理后的LCP基板送入等离子干法刻蚀机中，用四氟化碳和氧气对LCP基板的无铜面进行干法处理；(4)将步骤(3)处理后的LCP基板送入磁控溅射台中，在无铜面上溅射钛钨—金膜层；(5)将步骤(4)处理后的LCP基板取出，用光刻胶将LCP基板的镀金面与表面平整的硬性基板进行无间隙复合；(6)在步骤(5)处理后的LCP基板的钛钨—金膜层上，制备CPW图形；所述的CPW为共面波导；(7)将步骤(6)处理后的LCP基板送入等离子干法刻蚀机中，用氩气对CPW图形进行干法处理；再在处理后的LCP基板表面生长一层二氧化硅；(8)在步骤(7)处理后的LCP基板表面，用光刻胶将处于薄膜微桥下方的二氧化硅覆盖，并对覆盖以外的部位进行湿法刻蚀，再进行去胶处理，在RF传输线上形成二氧化硅绝缘层；(9)在步骤(8)处理后的LCP基板上，用光刻胶将处于薄膜微桥桥墩以外的所有部位覆盖，送入磁控溅射台中，溅射金膜层；(10)将步骤(9)处理后的LCP基板取出，用光刻胶将薄膜微桥以外的部位覆盖，再对薄膜微桥进行镀金加厚，之后将本步骤覆盖的光刻胶进行去胶处理和湿法刻蚀处理，得到薄膜微桥；(11)将步骤(10)处理后的LCP基板，进行牺牲层释放，牺牲层包括步骤(5)中的光刻胶和步骤(9)中的光刻胶；完成LCP基材RF MEMS开关的制备。