[发明专利]微纳米化芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201610149245.X | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106024853A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 叶哲良;庄志远;范俊一;孙健仁;施英汝;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微纳米化芯片及其制造方法。该微纳米化芯片，包含一基板及一纳米结构层，该基板具有一第一面与一第二面，该纳米结构层形成于该第二面。该微纳米化芯片的制造方法包含：在该基板的第二面上制作该纳米结构层，以形成该微纳米化芯片。借此，该纳米结构层可以有效地分散应力增加抗折强度，而在该基板的第一面上配置外延层后，避免在后续的外延层产生裂纹、基板翘曲或破片的情形。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微纳米化芯片，其特征在于，用以配置一外延层，包含：一基板，具有相背对的一第一面与一第二面，该第一面供配置该外延层；以及一纳米结构层，形成于该第二面上。
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