[发明专利]一种微流体离子源芯片及其制备方法有效
申请号: | 201610149298.1 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN105797791B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 钱翔;于赐龙;王晓浩;余泉;倪凯 | 申请(专利权)人: | 清华大学深圳研究生院 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人: | 杨洪龙 |
地址: | 518055 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了微流体离子源芯片及及其制备方法,微流体离子源芯片包括离散相层、第一连续相层和喷雾口,离散相层包括离散相储存池和离散相流道,第一连续相层包括第一连续相储存池和第一连续相流道,第一连续相流道始于第一连续相储存池并于设定位置分成两条第一连续相流道支路,两条第一连续相流道支路汇合于喷雾口,离散相流道连通离散相储存池和喷雾口,离散相流道位于两条第一连续相流道支路之间。本方法制备的超音速自动进样微流体离子源芯片使得连续相在喷雾口形成负压,实现样品的自动进样和离子化功能。超音速自动进样微流体离子源芯片可以应用在喷墨打印、生物制药、微纤维纺丝、质谱仪等需要自动进样喷雾的领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 流体 离子源 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种微流体芯片,其特征在于,包括离散相层、第一连续相层和喷雾口,所述离散相层包括离散相储存池和离散相流道,所述第一连续相层包括第一连续相储存池和第一连续相流道,所述第一连续相流道始于所述第一连续相储存池并于设定位置分成两条第一连续相流道支路,所述离散相流道连通所述离散相储存池和喷雾口,所述离散相流道位于两条第一连续相流道支路之间,所述两条第一连续相流道支路呈两条相对地向着所述离散相流道凹陷的曲线平滑地汇合于所述喷雾口,并通过连续相流体使所述离散相流道的出口产生负压。
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