[发明专利]基于氮化镓高电子迁移率晶体管的室温太赫兹探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及太赫兹信号探测领域，尤其涉及一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管的室温太赫兹探测器及其制备方法。该探测器包括氮化镓高电子迁移率晶体管，氮化镓高电子迁移率晶体管设有源极、栅极和漏极，还包括一纳米天线，纳米天线位于氮化镓高电子迁移率晶体管的源极和漏极之间、栅极一侧且与栅极之间间隔一定距离；栅极在与纳米天线相邻的一侧设有与纳米天线相对应形状和间隔的突起阵列，突起阵列与纳米天线构成尖对尖结构，用于增强太赫兹电场。本发明通过采用独特纳米天线结构，并结合特殊的栅极结构，能够有效提高探测器对太赫兹电磁波的耦合效率，实现对太赫兹电磁波的室温、高灵敏和低等效噪声功率的探测。

主权项

一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管的室温太赫兹探测器，包括氮化镓高电子迁移率晶体管，氮化镓高电子迁移率晶体管设有源极(1)、栅极(2)和漏极(3)，其特征在于：还包括一纳米天线(4)，纳米天线(4)位于氮化镓高电子迁移率晶体管的源极(1)和漏极(3)之间、栅极(2)一侧且与栅极之间间隔一定距离；栅极在与纳米天线相邻的一侧设有与纳米天线相对应形状和间隔的突起阵列，突起阵列与纳米天线构成尖对尖结构，用于增强太赫兹电场。