[发明专利]一种Sb2Se3薄膜对电极材料的制备方法

摘要

本发明提供一种Sb2Se3薄膜对电极材料的制备方法将装有Sb2Se3粉体的刚玉舟置于管式炉中，清洗干净的FTO玻璃和沉积有碳纳米粒子的薄膜盖在刚玉舟之上，气氛保护下350～550oC下恒温处理10min～1h，冷却，即可通过热蒸发方法在FTO玻璃和碳纳米粒子薄膜上得到Sb2Se3薄膜。本发明制备工艺简单快捷，且节省原材料，首次设计并提出在碳纳米粒子薄膜上沉积Sb2Se3，可以利用碳纳米粒子薄膜的多孔结构提高沉积效率，并有效释放薄膜应力。采用本方法制备得到的Sb2Se3薄膜具有成分可控、均一性和重复性好的优点。作为染料敏化太阳能电池对电极，Sb2Se3薄膜表现出优异的导电性和电催化性能。

主权项

一种Sb2Se3薄膜对电极材料的制备方法，其特征在于，采用热蒸发方法，在沉积有碳纳米粒子的薄膜上获得Sb2Se3薄膜，其实现步骤为：将碳纳米粒子和羧甲基纤维羧钠分散至水中得到碳纳米粒子溶胶，经过60~100oC真空干燥，得到沉积有碳纳米粒子的薄膜；将装有Sb2Se3粉体的刚玉舟置于管式炉中，将沉积有碳纳米粒子的薄膜盖在刚玉舟之上，放入管式炉中退火处理后，等待自然冷却，即在沉积有碳纳米粒子的薄膜上得到Sb2Se3薄膜。