[发明专利]一种高效整流器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高效整流器及其制造方法；所述高效整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第二导电类型体区、第一导电类型增强层、场介质层、栅介质层、栅电极层、上电极金属层和下电极金属层；所述高效整流器属于超势垒整流器类型，其采用只增加一次离子注入方式形成的增强层能够对MOS沟道区和位于体区间的类似JFET区进行杂质浓度调节，从而该高效整流器具有制造工艺简单和超低VF的优点。

主权项

一种高效整流器，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层(10)、轻掺杂第一导电类型外延层(20)、第二导电类型保护环区(21)、第二导电类型体区(22)、第一导电类型增强层(23)、场介质层(30)、栅介质层(31)、栅电极层(32)、上电极金属层(40)和下电极金属层(50)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(10)覆盖于下电极金属层(50)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(20)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(10)之上；所述第二导电类型保护环区(21)和第二导电类型体区(22)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之上的部分表面；所述第一导电类型增强层(23)浮空于轻掺杂第一导电类型外延层(20)内部；所述场介质层(30)和栅介质层(31)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之上的部分表面；所述栅电极层(32)覆盖于栅介质层(31)之上；所述上电极金属层(40)覆盖于介质层(30)、栅电极层(32)和第二导电类型体区(22)之上；所述上电极金属层(40)还覆盖于第二导电类型保护环区(21)之上的部分表面。