[发明专利]一种双制绒槽位的槽式多晶硅片制绒装置及方法在审
申请号: | 201610150593.9 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN105632980A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 孟利萍;张锐 | 申请(专利权)人: | 上海艾力克新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201400 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种双制绒槽位的槽式多晶硅片制绒装置,其特征在于,包括依次设置的1#制绒槽、2#制绒槽、3#水槽、4#水槽、5#碱槽、6#水槽、7#酸槽、8#水槽和9#喷淋槽,以及1#机械臂和2#机械臂,所述1#机械臂设置并运行于1#制绒槽、2#制绒槽、3#水槽、4#水槽、5#碱槽、6#水槽上方,所述2#机械臂设置并运行于6#水槽、7#酸槽、8#水槽和9#喷淋槽上方。本发明通过双工艺槽位进行制绒,提升了设备产能,降低了制造成本;通过进料方式、药液溶度及工艺时间的匹配设计使制绒工艺可控,使硅片在制绒槽、碱槽不出现延时等待现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 双制绒槽位 多晶 硅片 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种双制绒槽位的槽式多晶硅片制绒装置,其特征在于,包括依次设置的1#制绒槽、2#制绒槽、3#水槽、4#水槽、5#碱槽、6#水槽、7#酸槽、8#水槽和9#喷淋槽,以及1#机械臂和2#机械臂,所述1#机械臂运行于1#制绒槽、2#制绒槽、3#水槽、4#水槽、5#碱槽、6#水槽上方,所述2#机械臂运行于6#水槽、7#酸槽、8#水槽和9#喷淋槽上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造