[发明专利]一种高压模拟集成开关电路有效
| 申请号： | 201610150613.2 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105827224B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李新昌;程新红;吴忠昊;张萌;徐大伟;羊志强;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高压模拟集成开关电路，包括并联的第一、第二模拟子开关，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端，栅极连接第一驱动电路，所述第二n型DMOS管的漏极连接电路输出端，栅极连接第一驱动电路；所述第二模拟子开关包括第一p型DMOS管、第二p型DMOS管、第二驱动电路及第三驱动电路；所述第一p型DMOS管的漏极连接第二p型DMOS管的漏极，源极连接电路输入端，栅极连接第二驱动电路，所述第二p型DMOS管的源极连接电路输出端，栅极连接第三驱动电路。本发明的控制电路与信号通路不直接连通，抗干扰能力强，本发明的开关电路可以实现轨到轨输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 模拟 集成 开关电路 | ||
【主权项】：
1.一种高压模拟集成开关电路，其特征在于，包括：并联的第一模拟子开关及第二模拟子开关，其中，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端，栅极连接第一驱动电路，所述第二n型DMOS管的漏极连接电路输出端，栅极连接第一驱动电路；所述第二模拟子开关包括第一p型DMOS管、第二p型DMOS管、第二驱动电路及第三驱动电路；所述第一p型DMOS管的漏极连接第二p型DMOS管的漏极，源极连接电路输入端，栅极连接第二驱动电路，所述第二p型DMOS管的源极连接电路输出端，栅极连接第三驱动电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610150613.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
