[发明专利]一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610150646.7 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105680132B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨林安;李杨;王少波;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P3/12 | 分类号： | H01P3/12;H01P11/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法，该共面波导结构利用空气桥制作技术，实现了以空气介质层作为主要介质层的共面波导结构；同时在空气介质层和碳化硅基片层之间插入开关金属层，并在开关金属层上开有一定尺寸的沟槽Slot。本发明通过采用空气材料作为主要介质层，减小了太赫兹信号传输的损耗和色散，实现了一种高品质因数的共面波导结构，本发明通过采用高阻型碳化硅基片层，针对基于第三代半导体太赫兹器件和电路设计了一种新型传输线结构，通过加入开关金属层减小空气介质层厚度，降低了加工难度，另外调节金属开关层的开槽Slot尺寸，能够使阻抗更易调谐。 | ||
| 搜索关键词： | 共面波导结构 调谐 空气介质层 开关金属 阻抗 碳化硅基片 太赫兹波 介质层 减小 制备 传输线结构 高品质因数 太赫兹信号 电路设计 金属开关 第三代 高阻型 空气桥 开槽 色散 半导体 传输 制作 加工 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构，其特征在于：包括碳化硅基片层(5)，所述的碳化硅基片层(5)正面沉积开设有沟槽Slot的开关金属层(4)，沟槽Slot处的碳化硅基片层(5)上通过信号线金属支撑柱(7)设置信号线金属层(1)，沟槽Slot两侧的开关金属层(4)上分别通过正面接地金属层支撑柱(8)设置有正面接地金属层(2)；所述的开关金属层(4)上的沟槽Slot宽度能够根据信号线金属层(1)的宽度以及空气介质层(3)的厚度进行调整，以获取不同大小的阻抗；所述的信号线金属层(1)与正面接地金属层(2)之间、信号线金属支撑柱(7)与正面接地金属层支撑柱(8)之间以及信号线金属支撑柱(7)的底部与开关金属层(4)之间形成空气介质层(3)；所述的碳化硅基片层(5)背面沉积有背面接地金属层(6)，并且碳化硅基片层(5)上开设有多个背面金属通孔(9)，将开关金属层(4)和背面接地金属层(6)连通。
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