[发明专利]基于硅衬底的紧凑型MEMS电容式射频开关及制备方法

摘要

本发明提供一种基于硅衬底的紧凑型MEMS电容式射频开关及制备方法，开关由覆盖绝缘介质的硅衬底、一段叉指式共面波导传输线、可动极板组成，叉指式共面波导传输线、可动极板都设在硅衬底上，可动极板在固定极板上方，同时固定极板也是叉指式共面波导传输线的信号线；信号线与外接射频电路连接，通过在可动极板和固定极板间加一偏置电压，控制射频开关通断，从而控制外接射频信号通断；方法是在硅衬底上涂覆或沉积绝缘介质以隔离硅衬底与叉指式共面波导传输线，得到低插入损耗和高隔离度。本发明在硅衬底上覆盖介质层，有效减少硅衬底导致的损耗，以叉指式共面波导传输线作为传输路径，有效减小开关整体尺寸，方便调整传输线的结构参数。

主权项

一种基于硅衬底的紧凑型MEMS电容式射频开关，其特征在于，所述开关包括：一段叉指式共面波导传输线(1)、可动极板(2)、硅衬底(3)和绝缘介质(4)，其中：绝缘介质(4)覆盖在硅衬底(3)上，叉指式共面波导传输线(1)和可动极板(2)均设置在覆盖有绝缘介质(4)的硅衬底(3)上，且可动极板(2)在叉指式共面波导传输线(1)中的固定极板(5)上方，同时固定极板(5)作为叉指式共面波导传输线(1)的信号线，该信号线与外接射频电路连接；在可动极板(2)和固定极板(5)之间设置一偏置电压，用以控制所述开关的通断，从而控制外接射频信号的接通与断开。