[发明专利]一种简化的N型IBC电池结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种简化的IBC电池结构及其制作工艺方法，主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂，制造成本高昂的问题。该IBC电池结构，包括：减反层、N型硅片基体、掺杂层、钝化层、负电极和正电极，其中：减反层设在N型硅片基体的正面，掺杂层包括n+掺杂层和p+掺杂层，该n+掺杂层和p+掺杂层平行交错设在N型硅片基体的背面，钝化层为SiN_x膜，设在n+掺杂层和p+掺杂层背面，在n+掺杂层上引出负电极，在p+掺杂层上引出正电极，正负电极设在钝化层背面。本发明简化了现有电池结构中减反层和钝化层的结构和制作方法，提高了生产效率，减低了生产成本。

主权项

一种简化的N型IBC电池，包括减反层、N型硅片基体、钝化层、掺杂层及金属电极，其特征在于：所述减反层，设在N型硅片基体的正面；所述掺杂层，采用由n+掺杂层和p+掺杂层构成的硅掺杂层，该n+掺杂层和p+掺杂层平行交错设在N型硅片基体的背面；所述钝化层，设在n+掺杂层和p+掺杂层背面；所述电极，设在钝化层背面，负电极从n+掺杂层引出，正电极从p+掺杂层上引出。