[发明专利]晶片的生成方法有效

专利信息
申请号: 201610152814.6 申请日: 2016-03-17
公开(公告)号: CN106064425B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 平田和也 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00;B23K26/53;B24B37/04;B24B37/10
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供晶片的生成方法,抑制磨削磨具的消耗量并缩短磨削时间。晶片的生成方法从具有第一端面以及位于该第一端面的相反侧的第二端面的化合物单晶锭生成晶片,包含分离面形成步骤,由卡盘工作台对化合物单晶锭的第二端面进行保持,将对于化合物单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距第一端面相当于要生成的晶片的厚度的深度,使该聚光点与化合物单晶锭相对地移动而对该第一端面照射该激光束,形成由与该第一端面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕构成的分离面。将构成化合物单晶锭的原子量大的原子和原子量小的原子之中原子量小的原子排列的极性面作为该第一端面,在平坦化步骤中对原子量小的原子排列的极性面即第一端面进行磨削。
搜索关键词: 晶片 生成 方法
【主权项】:
一种晶片的生成方法,从化合物单晶锭生成晶片,该化合物单晶锭具有第一端面以及位于该第一端面的相反侧的第二端面,该晶片的生成方法的特征在于,具有如下的步骤:分离面形成步骤,由卡盘工作台对化合物单晶锭的该第二端面进行保持,将对于化合物单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距该第一端面相当于要生成的晶片的厚度的深度,并且使该聚光点与化合物单晶锭相对地移动而对该第一端面照射该激光束,形成由与该第一端面平行的改质层以及从该改质层伸长的裂痕构成的分离面;晶片生成步骤,在实施了该分离面形成步骤之后,从该分离面将相当于晶片的厚度的板状物从化合物单晶锭分离而生成晶片;以及平坦化步骤,在实施了该晶片生成步骤之后,对晶片分离后的化合物单晶锭的该第一端面进行磨削而使其平坦化,在该分离面形成步骤中,将构成化合物单晶锭的原子量大的原子和原子量小的原子之中的原子量小的原子排列的极性面作为该第一端面,在该平坦化步骤中,对原子量小的原子排列的极性面即该第一端面进行磨削。
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