[发明专利]一种核壳结构凸点制备方法及装置有效
申请号: | 201610153647.7 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN105826207B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 董伟;赵宁;康世薇;钟毅;许富民;魏宇婷 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/768 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司21212 | 代理人: | 李馨 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种核壳结构凸点制备装置,包括液滴喷射装置和凸点形成装置,所述液滴喷射装置包括并排设置在腔体上部的核心液滴喷射装置和外层液滴喷射装置,核心液滴喷射装置和外层液滴喷射装置的坩埚分别通过各自的三维运动控制器与腔体上部相连,再通过压电陶瓷、传动杆和加热带等的配合喷射液滴;凸点形成装置包括用于承接液滴喷射装置喷射出的液滴的基板和基板承载部。本发明还公开了应用上述装置制备核壳结构凸点的方法。本发明可制备均一液滴且频率可控,实现焊球制备和凸点制备一次完成,尺寸精度高,具有结构简单实用性强,制备工艺温度低,可自动化生产等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种核壳结构凸点制备装置,包括液滴喷射装置和凸点形成装置,所述液滴喷射装置包括用于液滴喷射的腔体、并排设置在所述腔体上部的核心液滴喷射装置和外层液滴喷射装置,所述腔体一侧开有腔体进气口和腔体排气口,机械泵与扩散泵安装在所述腔体侧部且与所述核心液滴喷射装置和所述外层液滴喷射装置及所述腔体相连;其特征在于:所述核心液滴喷射装置和所述外层液滴喷射装置结构相同;所述核心液滴喷射装置包括坩埚和与设置在所述坩埚顶部的压电陶瓷相连的且深入所述坩埚及其中熔体内部的传动杆,所述坩埚的底部设有中心孔,所述坩埚底部还连有与所述中心孔相通的薄片,所述薄片上设有喷射孔,所述坩埚外侧设有加热带,所述坩埚顶部开有坩埚进气口和坩埚排气口;所述传动杆底部的直径小于所述中心孔的直径,所述喷射孔全部位于所述传动杆底部的正下方;所述核心液滴喷射装置和所述外层液滴喷射装置的坩埚分别通过各自的三维运动控制器与所述腔体上部相连,所述腔体中部两侧还设有维持腔体温度的腔体温度控制器;所述凸点形成装置包括用于承接所述液滴喷射装置喷射出的液滴的基板和用于放置所述基板且对所述基板施加超声振动的基板承载部,所述基板承载部的水平长度大于等于所述核心液滴喷射装置的喷射孔和所述外层液滴喷射装置的喷射孔之间的距离;所述喷射孔与所述基板之间的垂直距离D与所述基板的温度T之间满足以下关系,T≥100+(D‑5)×5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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