[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201610154146.0 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106920760B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 柳泽爱彦;上野正昭;大桥直史 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制由热导致的移载室的延伸的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有：处理室，对衬底进行处理；轴，设置于移载室；衬底载置台，与轴连接，并具有加热部；第一隔热部，设置于移载室的壁的处理室侧；第二隔热部，设置于轴的衬底载置台侧。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，其具有：处理室，对衬底进行处理；移载室，与所述处理室邻接；轴，设置于所述移载室；衬底载置台，与所述轴连接，并具有加热部；第一隔热部，设置于所述移载室的壁的所述处理室侧；第二隔热部，设置于所述轴的所述衬底载置台侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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