[发明专利]具有结构稳定性的半导体器件有效
| 申请号： | 201610154256.7 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106560926B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郑盛旭;金垧甫;白智唏;郑帐喜 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有结构稳定性的半导体器件。该半导体器件包括：垂直交替的导电层和绝缘层的叠层；穿过叠层的支撑体，支撑体中的每个具有等边多边形的横截面，支撑体在第一方向和第二方向上等距离地布置，第一方向和第二方向彼此交叉；以及，分别电耦接到导电层的接触插塞，接触插塞中的每个设置在支撑体中的至少两个相邻的支撑体之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 稳定性 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：叠层，所述叠层包括交替层叠的导电层和绝缘层；支撑体，所述支撑体穿过叠层，支撑体中的每个具有等边多边形或圆形的横截面，支撑体在第一方向和第二方向上等距离地布置，第一方向和第二方向彼此交叉；以及接触插塞，所述接触插塞分别耦接到导电层，接触插塞中的每个设置在支撑体中的至少两个相邻的支撑体之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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