[发明专利]一种改善SSLC电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路

摘要

本发明是一种改善SSLC电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路，该电路包括SSLC电平转换电路和NBTI效应恢复单元，所述SSLC电平转换电路包括PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和NMOS晶体管MN1、MN2、MN3，所述NBTI效应恢复单元包括PMOS晶体管P1和P2、NMOS晶体管N1、反相器iv和恢复使能控制端EN，所述P1和P2的源极连接高电平端V_DDH，所述P1的栅极连接至反相器iv的输出端，所述P2的栅极连接恢复使能控制端EN，P1的漏极连接至MP1的源级，P2的漏极连接至MP1的栅极，所述N1的漏极连接至反相器iv的输出端，N1的漏极连接至MP1的源级，N1的源极连接至低电平端V_S。本发明能有效抑制PMOS管阈值电压的负向漂移和漏电流，提高了电平转换电路的性能与可靠性，改善了静态功耗。

主权项

1.一种改善SSLC电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，该电路包括SSLC电平转换电路和NBTI效应恢复单元；所述SSLC电平转换电路包括PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和NMOS晶体管MN1、MN2、MN3，所述MP1和MP3的源极相连接，MP1的栅极分别连接MP3和MN3的漏极，MP1的漏极分别连接MP2和MN1的源极，所述MP2的栅极与MN2的栅极相连，MP2的漏极分别连接MN2的漏极和MP3的栅极；所述MN1的栅极与漏极连接MP1的源极，所述MN2的源极连接低电平端VSS，MN2的栅极连接信号输入端IN，所述MN3的源级连接低电平端VSS，MN3的栅极与MP3的栅极相连；所述NBTI效应恢复单元包括PMOS晶体管P1和P2、NMOS晶体管N1、反相器iv和恢复使能控制端EN，所述P1和P2的源极连接高电平端VDDH，所述P1的栅极连接至反相器iv的输出端，所述P2的栅极连接恢复使能控制端EN，P1的漏极连接至MP1的源级，P2的漏极连接至MP1的栅极；所述N1的漏极连接至反相器iv的输出端，N1的漏极连接至MP1的源级，N1的源极连接至低电平端VSS。