[发明专利]一种改善SSLC电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路有效
申请号: | 201610154912.3 | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN105827232B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 刘世安 | 申请(专利权)人: | 苏州芯宽电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/00 | 分类号: | H03K19/00;H03K19/003;H03K19/0185 |
代理公司: | 北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11346 | 代理人: | 魏秀莉 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是一种改善SSLC电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路,该电路包括SSLC电平转换电路和NBTI效应恢复单元,所述SSLC电平转换电路包括PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和NMOS晶体管MN1、MN2、MN3,所述NBTI效应恢复单元包括PMOS晶体管P1和P2、NMOS晶体管N1、反相器iv和恢复使能控制端EN,所述P1和P2的源极连接高电平端VDDH,所述P1的栅极连接至反相器iv的输出端,所述P2的栅极连接恢复使能控制端EN,P1的漏极连接至MP1的源级,P2的漏极连接至MP1的栅极,所述N1的漏极连接至反相器iv的输出端,N1的漏极连接至MP1的源级,N1的源极连接至低电平端VS。本发明能有效抑制PMOS管阈值电压的负向漂移和漏电流,提高了电平转换电路的性能与可靠性,改善了静态功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 sslc 电平 转换 电路 偏压 温度 不稳定性 恢复 | ||
【主权项】:
1.一种改善SSLC电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路,其特征在于,该电路包括SSLC电平转换电路和NBTI效应恢复单元;所述SSLC电平转换电路包括PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和NMOS晶体管MN1、MN2、MN3,所述MP1和MP3的源极相连接,MP1的栅极分别连接MP3和MN3的漏极,MP1的漏极分别连接MP2和MN1的源极,所述MP2的栅极与MN2的栅极相连,MP2的漏极分别连接MN2的漏极和MP3的栅极;所述MN1的栅极与漏极连接MP1的源极,所述MN2的源极连接低电平端VSS,MN2的栅极连接信号输入端IN,所述MN3的源级连接低电平端VSS,MN3的栅极与MP3的栅极相连;所述NBTI效应恢复单元包括PMOS晶体管P1和P2、NMOS晶体管N1、反相器iv和恢复使能控制端EN,所述P1和P2的源极连接高电平端VDDH,所述P1的栅极连接至反相器iv的输出端,所述P2的栅极连接恢复使能控制端EN,P1的漏极连接至MP1的源级,P2的漏极连接至MP1的栅极;所述N1的漏极连接至反相器iv的输出端,N1的漏极连接至MP1的源级,N1的源极连接至低电平端VSS。
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