[发明专利]一种改善SSLC电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路有效

专利信息
申请号: 201610154912.3 申请日: 2016-03-18
公开(公告)号: CN105827232B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 刘世安 申请(专利权)人: 苏州芯宽电子科技有限公司
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00;H03K19/003;H03K19/0185
代理公司: 北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11346 代理人: 魏秀莉
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明是一种改善SSLC电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路,该电路包括SSLC电平转换电路和NBTI效应恢复单元,所述SSLC电平转换电路包括PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和NMOS晶体管MN1、MN2、MN3,所述NBTI效应恢复单元包括PMOS晶体管P1和P2、NMOS晶体管N1、反相器iv和恢复使能控制端EN,所述P1和P2的源极连接高电平端VDDH,所述P1的栅极连接至反相器iv的输出端,所述P2的栅极连接恢复使能控制端EN,P1的漏极连接至MP1的源级,P2的漏极连接至MP1的栅极,所述N1的漏极连接至反相器iv的输出端,N1的漏极连接至MP1的源级,N1的源极连接至低电平端VS。本发明能有效抑制PMOS管阈值电压的负向漂移和漏电流,提高了电平转换电路的性能与可靠性,改善了静态功耗。
搜索关键词: 一种 改善 sslc 电平 转换 电路 偏压 温度 不稳定性 恢复
【主权项】:
1.一种改善SSLC电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路,其特征在于,该电路包括SSLC电平转换电路和NBTI效应恢复单元;所述SSLC电平转换电路包括PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和NMOS晶体管MN1、MN2、MN3,所述MP1和MP3的源极相连接,MP1的栅极分别连接MP3和MN3的漏极,MP1的漏极分别连接MP2和MN1的源极,所述MP2的栅极与MN2的栅极相连,MP2的漏极分别连接MN2的漏极和MP3的栅极;所述MN1的栅极与漏极连接MP1的源极,所述MN2的源极连接低电平端VSS,MN2的栅极连接信号输入端IN,所述MN3的源级连接低电平端VSS,MN3的栅极与MP3的栅极相连;所述NBTI效应恢复单元包括PMOS晶体管P1和P2、NMOS晶体管N1、反相器iv和恢复使能控制端EN,所述P1和P2的源极连接高电平端VDDH,所述P1的栅极连接至反相器iv的输出端,所述P2的栅极连接恢复使能控制端EN,P1的漏极连接至MP1的源级,P2的漏极连接至MP1的栅极;所述N1的漏极连接至反相器iv的输出端,N1的漏极连接至MP1的源级,N1的源极连接至低电平端VSS。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州芯宽电子科技有限公司,未经苏州芯宽电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610154912.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top