[发明专利]一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管及其加工工艺在审
| 申请号： | 201610155125.0 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105679906A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王文娟;吕奇孟;宋彬;彭绍文;江方;姚素霞;温华炽 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管及其加工工艺，涉及发光二极管的生产制造技术领域。本发明通过在ICP刻蚀后的台阶侧面形成周期性或非周期性的凹凸形表面结构，该侧壁微结构可以通过改变到达侧壁的光子的入射角，使更多的光子能够从芯片内出射，减少发生全反射的光子数，或者从另一方面来说，侧壁微结构可以通过改变微结构处的等效折射率，使微结构等效成一种增透结构，令侧壁的透射率更高，从而提升LED的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 侧壁 微结构 氮化 发光二极管 及其 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管，包括设置在衬底一侧的N‑GaN层，在N‑GaN层上呈台阶式依次设置有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在N‑GaN层的台阶面上设置 N电极及N电极引脚，在电流扩展层上表面设置P电极及P电极引脚；其特征在于：有源区和P‑GaN层的外侧面为凹凸形表面。
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