[发明专利]一种氮化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷

摘要

本发明保护一种本发明保护一种氮化铝基质的荧光陶瓷的制备方法，依序包括以下步骤：混料：将粒径为0.1～1μm的氮化铝、粒径为15～30μm的第一荧光粉、粒径为2～5μm的第二荧光粉与溶剂均匀混合，得到氮化铝‑荧光粉浆料，其中第一荧光粉和第二荧光粉材料相同；除杂：将浆料干燥，然后煅烧，获得氮化铝‑荧光粉粉末；热处理：将粉末热处理，得到荧光陶瓷，其中，氮化铝‑荧光粉粉末在热处理前和/或热处理中经过5MPa以上高压处理，热处理温度为1500～1850℃，热处理在无氧气氛下进行。该制备方法使得在热处理过程中，小粒径的第二荧光粉填充了大粒径的第一荧光粉周围的孔隙，提高了荧光陶瓷的发光密度，使得烧结出的荧光陶瓷能够保证良好的发光效率。

主权项

一种氮化铝基质的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，依序包括以下步骤：混料：将氮化铝粉末、荧光粉与溶剂均匀混合，得到氮化铝‑荧光粉浆料，所述氮化铝的粒径为0.1～1μm，所述荧光粉包括第一荧光粉和第二荧光粉，第一荧光粉的粒径为15～30μm，第二荧光粉的粒径为2～5μm，第一荧光粉与第二荧光粉为材料相同的荧光粉，且第一荧光粉多于第二荧光粉；除杂：将所述氮化铝‑荧光粉浆料干燥，然后将其在有氧气氛下煅烧，除去其中的水和有机物，获得氮化铝‑荧光粉粉末；热处理：将所述氮化铝‑荧光粉粉末热处理，得到荧光陶瓷，其中，该氮化铝‑荧光粉粉末在热处理前和/或热处理中经过5MPa以上高压处理，使氮化铝‑荧光粉粉末保持致密，热处理温度为1500～1850℃，热处理在无氧气氛下进行。