[发明专利]MoSe2纳米片复合烟花状TiO2纳米棒阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种MoSe₂纳米片复合烟花状TiO₂纳米棒阵列，其包括TiO₂纳米棒阵列和MoSe₂纳米片；所述MoSe₂纳米片均匀且大量分布在所述TiO₂纳米棒阵列的表面，在阵列表面具有良好复合；所述TiO₂纳米棒阵列是由TiO₂纳米棒自组装形成的。为本发明还公开了所述MoSe₂纳米片复合烟花状TiO₂纳米棒阵列的制备方法，采用两步溶剂热法使MoSe₂纳米片均匀生长在烟花状的TiO₂纳米棒阵列上，得到良好复合形貌的材料。所制备的半导体材料具有增大的光谱吸收范围和比表面积，降低的载流子复合几率，具有良好的光催化降解性能，在光催化降解领域有巨大应用潜力。本发明制备方法具有操作简单，产量高，制备成本低等优点。

主权项

一种MoSe₂纳米片复合烟花状TiO₂纳米棒阵列，其特征在于，所述MoSe₂纳米片复合烟花状TiO₂纳米棒阵列包括烟花状TiO₂纳米棒阵列和MoSe₂纳米片；其中，无添加剂，使用溶剂热法将所述MoSe₂纳米片均匀生长在所述烟花状的TiO₂纳米棒阵列的表面；所述MoSe₂纳米片复合烟花状TiO₂纳米棒阵列拥有卓越的光催化降解性能。