[发明专利]多结半导体电路和方法

摘要

本公开的方面针对的是涉及多结半导体电路的方法、装置和系统。根据示例实施例，一种装置包括：包含第一电流路径和第二电流路径的多结半导体电路，每个电流路径具有用于提供与绝对温度成正比的输出的对应第一和第二公共电压节点。第一电流路径包括展现第一电流密度的第一p‑n结。第二电流路径包括展现第二电流密度的第二p‑n结，所述第二电流密度成比例地不同于第一电流密度，并包括连接在第二p‑n结和第二公共电压节点之间的电阻器。此外，所述装置包括与电阻器和第二p‑n结之间的节点相连的电流抽头路径，所述电流抽头路径从第二p‑n结转移流经所述电阻器的一部分电流。

主权项

一种装置，包括：多结半导体电路，包含第一电流路径和第二电流路径，每个电流路径在其中具有用于提供与绝对温度成正比的输出的对应第一和第二公共电压节点；所述第一电流路径包括展现第一电流密度的第一p‑n结；所述第二电流路径包括展现第二电流密度的第二p‑n结，其中所述第二电流密度成比例地不同于所述第一电流密度，且包括被连接在第二p‑n结和第二电流路径中的公共电压节点之间的电阻器；以及电流抽头路径，与电阻器和第二p‑n结之间的节点相连，所述电流抽头路径配置为从第二p‑n结转移流经所述电阻器的一部分电流。