[发明专利]微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法有效
申请号: | 201610158628.3 | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN105789037B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 吴少兵;高建峰 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张弛 |
地址: | 210016 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法,在介质层上涂一层耐刻蚀的电子束胶;利用电子束直写设备直写栅脚图形;在直写完的栅脚图形上涂深紫外光刻胶;利用电子束直写设备直写栅帽图形;对直写完的栅帽进行烘焙,并利用碱性显影液对直写完的栅帽进行显影,一次性得到栅脚和栅帽的胶型;采用烘烤工艺改变栅脚胶型;可大幅提高小尺寸栅的电子束直写速度和制备效率。且分两步进行介质层刻蚀;利用自停止层对外延材料的CaP层进行过挖槽或者过刻蚀;所述胶型转化为栅型,剥离得到金属栅,对栅金属进行蒸发和剥离后的钝化,即保证了栅的稳定性,又利用了新胶的耐蚀性很好的控制了线宽损失,该工艺兼具了裸栅的小尺寸和介质辅助栅的稳定性的优点。 | ||
搜索关键词: | 微波 毫米波 芯片 尺寸 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法,所述微波毫米波芯片的衬底上生长有外延材料,所述外延材料上生长有介质,所述介质包括衬底层、外延沟道及势垒层、自停止层、盖帽层和介质层,其特征在于:所述微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法包括以下步骤:1)、在介质层上涂一层耐刻蚀的电子束胶,利用电子束直写设备直写栅脚图形,在直写完的栅脚图形上涂深紫外光刻胶;2)、利用电子束直写设备直写栅帽图形,对直写完的栅帽进行烘焙,并利用碱性显影液对直写完的栅帽进行显影,一次性得到栅脚和栅帽的胶型;3)、采用烘烤工艺改变栅脚胶型;4)、两步刻蚀介质层;5)、利用自停止层对外延材料的盖帽层进行过挖槽或者过刻蚀;6)、对栅金属进行蒸发和剥离后的钝化得到栅型以及钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造