[发明专利]一种GaN HEMT器件制作方法在审
| 申请号： | 201610158915.4 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105590851A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN HEMT器件制作方法，提供衬底，包括以下步骤：S1、在衬底上沉积一层VLS生长用的催化剂；S2、在催化剂上形成周期性的压印胶；S3、按照压印胶的分布刻蚀催化剂，形成周期性的图形化的催化剂；S4、采用VLS生长机理，在图形化的催化剂上生长GaN纳米柱；S5、去除图形化的催化剂，形成图形化衬底；S6、在图形化衬底上生长外延层，在外延层上完成源极、漏极、栅极的制作。本发明采用图形化衬底进行GaN外延，不仅具有图形化衬底外延横向生长缺陷较少的优点，同时避免了生长过程中，由于图形尺寸较大，横向生长易形成孔洞，影响后续器件制作与使用；VLS的引入有利于提高过渡层的外延质量，提高GaN HEMT器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT器件制作方法，提供衬底，其特征在于，包括以下步骤：S1、在所述衬底上沉积一层VLS生长用的催化剂；S2、在所述催化剂上形成周期性的压印胶；S3、按照所述压印胶的分布刻蚀所述催化剂，形成周期性的图形化的催化剂；S4、采用VLS生长机理，在图形化的催化剂上生长GaN纳米柱；S5、去除所述图形化的催化剂，形成图形化衬底；S6、在所述图形化衬底上生长外延层，在所述外延层上完成源极、漏极、栅极的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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