[发明专利]MOS变容管以及包括MOS变容管的半导体集成设备有效
| 申请号： | 201610158916.9 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106531780B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 朴淳烈;李相贤 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/94;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MOS变容管，包括：通过通道区相互间隔开的第一N型结区和第二N型结区；栅绝缘层，其设置在通道区上；栅电极，其设置在栅绝缘层上；以及N型阱区，其包括通道区并围绕第一和第二N型结区。N型阱区在通道区内具有最大杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | mos 变容管 以及 包括 半导体 集成 设备 | ||
【主权项】：
一种金属‑氧化物‑半导体(MOS)变容管，包括：第一N型结区和第二N型结区，所述第一N型结区和第二N型结区通过通道区相互间隔开；栅绝缘层，其设置在通道区上；栅电极，其设置在栅绝缘层上；以及N型阱区，其包括通道区，并且围绕所述第一N型结区和第二N型结区，其中，N型阱区在通道区内具有最大杂质浓度。
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