[发明专利]半导体结构以及形成半导体结构的方法

摘要

在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来，在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT)，其可以是PNP BJT、NPN BJT或者一对互补的PNP BJT和NPN BJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后，在第二沟槽中形成激光二极管。

主权项

1.一种半导体结构，包括：位于绝缘体上半导体(SOI)衬底的一部分上的至少一个电子器件，其中所述至少一个电子器件包括至少一个双极结型晶体管(BJT)；以及嵌入在所述SOI衬底的另一部分内的光子器件，其中所述光子器件包括：电介质波导，包括下电介质包覆部分、存在于所述下电介质包覆部分上的核心部分、以及存在于所述核心部分上的上电介质包覆部分；以及被边缘耦合到所述电介质波导的光电器件，所述光电器件包括与所述电介质波导的所述核心部分横向对准的有源层。