[发明专利]对地址不对称NVM单元具有增强的效率的非易失性存储器有效
| 申请号： | 201610159520.6 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105810234B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | A.奈伊 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及对地址不对称NVM单元具有增强的效率的非易失性存储器。本申请描述了利用PMOS晶体管作为存取晶体管的MRAM单元的实施例。MRAM单元被配置为减轻施加不对称电流负荷以使MRAM单元的磁性隧道结在磁阻状态之间转变的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 地址 不对称 nvm 单元 具有 增强 效率 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种衬底，包括：第一掺杂区域，包括p型掺杂剂的多子；第二掺杂区域，在所述衬底中包括n型掺杂剂的多子；金属字线，被配置为传导字线电压并设置在所述第二掺杂区域上方，所述金属字线与所述第二掺杂区域隔离；第三掺杂区域，在所述衬底中包括p型掺杂剂的多子，所述第二掺杂区域被设置在所述第一掺杂区域和所述第三掺杂区域之间；以及磁性隧道结，与所述第三掺杂区域电通信，其中所述第一掺杂区域、所述第二掺杂区域和所述第三掺杂区域形成PMOS晶体管的部分。
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