[发明专利]氮化镓材料层表面粗化的方法在审
| 申请号： | 201610159628.5 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105826442A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 曾国涛 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00;H01L21/306;H01L21/268 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓材料层表面粗化的方法，包括：提供待粗化的晶圆；将所述晶圆背离衬底一侧固定在耐腐蚀耐高温器皿中；在所述耐腐蚀耐高温器皿中加入粗化药水将第二氮化镓层表面浸泡，粗化药水至少包括过硫酸钾和氢氧化钾；采用紫外激光发生器对所述第二氮化镓层进行粗化，使氮化镓表面获得良好的粗糙度和粗化均匀性，提高了粗化的速度、出光效率和产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 材料 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓材料层表面粗化的方法，其特征在于，包括：提供待粗化的晶圆，所述晶圆包括衬底、位于衬底任一表面的第一氮化镓层、位于第一氮化镓层背离衬底一侧的有源层和位于有源层背离衬底一侧的第二氮化镓层；将所述晶圆背离衬底一侧固定在耐腐蚀耐高温器皿中；在所述耐腐蚀耐高温器皿中加入粗化药水将第二氮化镓层表面浸泡，粗化药水至少包括过硫酸钾和氢氧化钾；采用紫外激光发生器对所述第二氮化镓层进行粗化。
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