[发明专利]GaN HEMT多级射频功率放大器设计方法及放大器在审
| 申请号： | 201610159958.4 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105846784A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 贾冰;刘开华;马永涛 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/195;H03F3/24 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率放大器的设计、制造，为实现在射频宽带范围内可以达到更大的输出功率和附加效率。本发明采用的技术方案是，GaN HEMT多级射频功率放大器设计方法及放大器，包括如下步骤：首先使用氮化镓功率管设计单管射频功率放大器，再利用功率管搭建三级前级驱动电路；采用四个单管功率放大器并联构成末级功率放大器组，最后将驱动电路和末级功率推动电路级联形成最终的射频大功率放大器；功率放大器，结构是，氮化镓功率管制成的单管射频功率放大器输出到三级前级驱动电路，最后经驱动电路和末级功率推动电路级联形成最终的射频大功率放大器输出。本发明主要应用于放大器的设计、制造。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 多级 射频 功率放大器 设计 方法 放大器 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT多级射频功率放大器设计方法，其特征是，步骤如下：首先使用氮化镓功率管设计单管射频功率放大器，再利用功率管搭建三级前级驱动电路；采用四个单管功率放大器并联构成末级功率放大器组，最后将驱动电路和末级功率推动电路级联形成最终的射频大功率放大器。
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