[发明专利]一种掺银氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610160097.1 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105734504B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 顾德恩;周鑫;蒋亚东;王志辉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及探测器和电子薄膜技术领域，具体涉及一种掺银氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法。本发明以银为掺杂元素制备，元素摩尔百分比含量为银3‑10％，钒30‑40％，氧50‑67％；其TCR为4.2‑5.5％/K，电阻温度特性呈现出无相变特征，电阻率0.1‑1.1Ω·cm，方阻稳定性在72h后变化率小于10％。先通过溅射工艺分两步沉积银/氧化钒复合薄膜，再通过富氧气氛高温退火得到掺银氧化钒热敏薄膜材料。本发明所制备的掺银氧化钒热敏薄膜材料电阻温度系数高，具有无相变特征，避免了热滞噪声问题，可提高非制冷焦平面器件的灵敏度；且电阻率小，器件可在低偏置条件下工作；其工艺与MEMS工艺兼容性好，适于基于氧化钒热敏薄膜器件的大批量制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 热敏 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺银氧化钒热敏薄膜材料，其特征在于：以银为掺杂元素制备得到，掺银氧化钒薄膜各元素摩尔百分比含量为银3-10％，钒30-40％，氧50-67％；其TCR为4.2-5.5％/K，电阻温度特性呈现出无相变特征，电阻率0.1-1.1Ω·cm，方阻稳定性在72h后变化率小于10％；银元素采用纯度高于98％的纯银，钒元素采用纯度高于98％的纯钒。
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