[发明专利]具有D-π-A-π-D结构的氰基取代的二苯乙烯类衍生物作为双光子光限幅材料的应用在审

专利信息
申请号: 201610160617.9 申请日: 2016-03-21
公开(公告)号: CN107219704A 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 赵榆霞;杜娟;吴飞鹏 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: G02F1/361 分类号: G02F1/361;C08F120/14;C08F118/00;C08F220/14;C08F2/44
代理公司: 北京正理专利代理有限公司11257 代理人: 张文祎,赵晓丹
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种具有D‑π‑A‑π‑D结构的氰基取代的二苯乙烯类衍生物作为双光子光限幅材料的应用。此衍生物光热稳定性好,荧光量子产率较低,在近红外波段的纳秒、皮秒或飞秒激光照射下都具有明显双光子限幅特性,且双光子吸收截面可达1000~2200GM,在双光子光限幅领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 具有 结构 取代 苯乙烯 衍生物 作为 光子 限幅 材料 应用
【主权项】:
具有D‑π‑A‑π‑D结构的氰基取代的二苯乙烯类衍生物作为双光子光限幅材料的应用。
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