[发明专利]一种绝缘栅型光电导开关

摘要

本发明提供了一种绝缘栅型光电导开关，其包括半绝缘衬底、该半绝缘衬底的上表面上制成的阳极、在该半绝缘衬底的下表面上制成的第一n型掺杂层、在该第一n型掺杂层上制成的p型掺杂层、在该p型掺杂层上制成的第二n型掺杂层、在该第二n型掺杂层上制成的阴极、朝向所述第一n型掺杂层竖直延伸且到达该第一n型掺杂层的一部分的多个凹槽、在该多个凹槽的底部和槽壁以及所述第二n型掺杂层上制成的绝缘层、以及在该多个凹槽的底部和槽壁上的绝缘层上制成的栅极和为确保该多个凹槽处的栅极彼此电连接而在位于所述第二n型掺杂层上的绝缘层的一部分上制成的栅极，其中阴极与栅极之间是电隔离的。

主权项

一种光电导开关器件，其包括：半绝缘衬底、该半绝缘衬底的上表面上制成的阳极、在该半绝缘衬底的下表面上制成的第一n型掺杂层、在该第一n型掺杂层上制成的p型掺杂层、在该p型掺杂层上制成的第二n型掺杂层、在该第二n型掺杂层上制成的阴极、朝向所述第一n型掺杂层竖直延伸且到达该第一n型掺杂层的一部分的多个凹槽、在该多个凹槽的底部和槽壁以及所述第二n型掺杂层上制成的绝缘层、以及在该多个凹槽的底部和槽壁上的绝缘层上制成的栅极和为确保该多个凹槽处的栅极彼此电连接而在位于所述第二n型掺杂层上的绝缘层的一部分上制成的栅极，其中阴极与栅极之间是电隔离的，通过设计所述第一n型掺杂层、所述p型掺杂层和所述第二n型掺杂层的浓度和厚度参数以确保所述第一n型掺杂层和所述p型掺杂层之间形成的反向p‑n结的空间电荷区随偏置电压的增大而先扩展到所述的半绝缘衬底一侧，而不是先扩展到所述第二n型掺杂层。