[发明专利]单晶电池片的制绒方法、单晶电池片及单晶光伏组件在审
| 申请号： | 201610161757.8 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN105609572A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 倪志春;魏青竹;吴晨阳;连维飞;陆俊宇 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215542 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶电池片的制绒方法、单晶电池片及单晶光伏组件，在单晶电池片表面形成漫反射型结构，可以更好的利用入射太阳光，提升电池的光生电流，进而显著提升单晶光伏组件的CTM。一种单晶电池片的制绒方法，依次包括如下步骤：S1、用10~30wt%的碱溶液对单晶硅进行处理；S2、用1~5wt%的碱溶液对单晶硅的表面进行各向异性腐蚀；S3、用HNO3/HF混酸溶液对单晶硅的表面进行处理，在表面上形成多孔硅结构，所述HNO3/HF混酸溶液中HF、HNO3、H2O的重量比为1：（3~5）：（2~4）；S4、清洗；S5、风干或甩干。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 方法 单晶光伏 组件 | ||
【主权项】：
一种单晶电池片的制绒方法，其特征在于，依次包括如下步骤：S1、用10~30wt%的碱溶液对单晶硅进行处理；S2、用1~5wt%的碱溶液对单晶硅的表面进行各向异性腐蚀；S3、用HNO3/HF混酸溶液对单晶硅的表面进行处理，在表面上形成多孔硅结构，所述HNO3/HF混酸溶液中HF、HNO3、H2O的重量比为1：（3~5）：（2~4）；S4、清洗；S5、风干或甩干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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