[发明专利]一种刻蚀方法在审
| 申请号： | 201610162056.6 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105655249A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张俊;王一军;许徐飞;宋洁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀方法，包括：在需要图案化的膜层上涂覆光刻胶层；在光刻胶层上形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域；在光刻胶去除区域形成交联材料，在预定条件下使交联材料与光刻胶保留区域发生反应，形成反应区域；去除交联材料，保留光刻胶保留区域和反应区域，对去除交联材料区域的膜层进行刻蚀；去除光刻胶保留区域和反应区域的遮挡层，形成图案化膜层。提供的刻蚀方法，能够在现有设备的基础上提高曝光精度，形成关键尺寸更小的结构。本发明通过控制交联材料和光刻胶反应的条件，可以调整反应区域的宽度，并可以调整至小于曝光机分辨率极限的关键尺寸，而不会发生残留remain。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，其特征在于，包括：在需要图案化的膜层上涂覆光刻胶层；在光刻胶层上形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域；在光刻胶去除区域形成交联材料，在预定条件下使交联材料与光刻胶保留区域发生反应，形成反应区域；去除交联材料，保留光刻胶保留区域和反应区域，对所述去除交联材料区域的膜层进行刻蚀；去除光刻胶保留区域和反应区域的遮挡层，形成图案化膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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