[发明专利]一种抗PID的氮化硅减反射膜及其制备方法与应用

摘要

本发明公开一种抗PID的氮化硅减反射膜及其制备方法与应用，所述氮化硅减反射膜包括沉积于硅片上的内、外两层氮化硅减反射膜，其中，内层氮化硅减反射膜的折射率为1.8~2.2，外层氮化硅减反射膜的折射率为2.0~2.5。本发明对多晶硅电池的氮化硅减反射层的结构（包括膜层厚度、折射率、以及晶化度）进行了设计，并随后优化了电池扩散工艺中的p‑n结深度、掺杂浓度，以及后期金属化过程，使之与优化的氮化硅减反射层相匹配，最终得到具有抗PID性能的多晶硅电池产品。封装成72片组件后进行双85测试，功率损失为2.6%，符合TUV规定的PID测试标准。

主权项

一种抗PID的氮化硅减反射膜，其特征在于，所述氮化硅减反射膜由沉积于硅片上的内、外两层氮化硅减反射膜组成，其中，内层氮化硅减反射膜的折射率为2.0，外层氮化硅减反射膜的折射率为2.2；内层氮化硅减反射膜的厚度为20.5nm，外层氮化硅减反射膜的厚度为61.5nm；通过改变氮化硅减反射膜的折射率和厚度，提高氮化硅减反射膜的抗PID作用;所述氮化硅减反射膜的折射率通过控制氮化硅减反射膜的晶化度来实现。