[发明专利]一种双栅极鳍式场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种双栅极鳍式场效应晶体管的制备方法，包括在半导体衬底上形成鳍结构，沉积氧化物层并平坦化至鳍结构露出，沉积硬质掩膜层并图形化，对露出的鳍结构一侧的氧化物层进行回刻，去除剩余的硬质掩膜层，再次对鳍结构两侧的氧化物层同时进行回刻，在鳍结构两侧形成具有高度差的氧化物层，在鳍结构表面形成栅极介电层和栅极材料并图形化，去除鳍结构顶部的栅极材料，在鳍结构两侧形成控制栅高度大于驱动栅的双栅极结构，可以降低有效沟道底部的漏电流。

主权项

1.一种双栅极鳍式场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍结构；步骤S02：沉积氧化物层，将鳍结构覆盖，然后平坦化至所述鳍结构露出；步骤S03：沉积硬质掩膜层，将氧化物层和鳍结构覆盖，然后图形化，露出鳍结构其中一侧的氧化物层；步骤S04：对露出一侧的氧化物层进行部分回刻，然后去除剩余的硬质掩膜层，使鳍结构另一侧的氧化物层露出，接着对鳍结构两侧的氧化物层同时进行部分回刻，在鳍结构两侧形成具有高度差的氧化物层；步骤S05：在鳍结构表面形成栅极介电层，随后沉积栅极材料并图形化；步骤S06：去除鳍结构顶部的栅极材料，在鳍结构两侧分别形成驱动栅和控制栅；其中，控制栅的高度大于驱动栅的高度。